ПО, ЭВМ и АСУ из Таможенного Союза

Информация о пользователе

Привет, Гость! Войдите или зарегистрируйтесь.



ООО «Маппер»

Сообщений 1 страница 2 из 2

1

https://mapperllc.ru/ru/about-us/
2012, основано как 100% дочернее предприятие холдинга Mapper Lithography при финансовой поддержке Роснано.
2013 - построена МЭМС фабрика (МЭМС = микроэлектромеханических систем)
2014-10 - выпущены первые кремниевые электронные линзы
2014 - серийное производство элементов электронной оптики для головной компании
  расширен ассортимент выпускаемых кремниевых линз
  начата отладка технологического процесса по производству элементов с управляющими электродами
2015 - МЭМС продукты и для других заказчиков

30 единиц производственного оборудования, предназначенного для обработки 100 мм пластин
30 человек, проходят практику около 10 студентов различных технических ВУЗов
  20 человек штат по данным HH - https://hh.ru/employer/1554966

на территории Технополиса «Москва» при финансовой поддержке корпорации «Роснано»
(российский производственный участок голландской компании Mapper).
https://images11.popmeh.ru/upload/img_cache/f39/f398efa050e6fd37c91eabbc3357c7af_fitted_800x3000.jpg

https://ru.wikipedia.org/wiki/Mapper_Lithography

нидерландская компания, разрабатывающая установки безмасочной многолучевой электронной литографии

используются тысячи параллельных электронных пучков (модель Matrix 1.1 — около 1,3 тысяч, Matrix 10.10 — 13,3 тысячи).
передача маски на управляющую MEMS матрицу должна происходить с высочайшими скоростями (общая — до 10 ТБайт/с, каждый канал около 7,5 Гбит/с)

10 пластин 32 нм диаметром 300 мм в час

предлагается создание кластерного литографа с общей производительностью в 100 пластин в час.
В составе кластера будет устанавливаться десять модулей

компания Mapper хочет (хотела в 2012) построить новый завод по сборке литографов в Делфте. Его производительность составит до 20 установок в год.

Вопрос - почему такое низкое разрешение? Что мешает? Оно мешает фатально или нет - можно ли догнать EUV?

Отредактировано Лис (2019-05-16 12:03:14)

0

2

Mapper Lithography за 15 лет на все про все истратил 300 млн.. (и)

"задачу сейчас выполняет 1300 отдельных лучей. Т.к. пройти всю 200 мм пластину с приведенным шагом в ~40 нм это примерно те же 5 млн. линий: 200*1000*1000/40 = 5 000 000. почему бы просто не повышать мощность одного луча, чтобы обрабатывать им поверхность пластины быстрее?  есть вероятное (а вот правильное ли?) объяснение: при увеличении тока единичного луча (кол-ва электронов вылетающих в секунду) растут сложности с его фокусировкой из-за взаимного отталкивания зарядов одного знака. не ясно насколько эта проблема важна — слабый пучок (как в электронном микроскопе например) можно и до 1-2 нм в диаметре фокусировать, у вас как понимаю диаметр «пятна» порядка десятков нм — вроде есть хороший запас. почему не наращивать мощность луча с другой стороны: не через количество электронов (ток), а через их энергию (ускоряющее напряжение). Заодно это увеличит скорость движения электронов в пучке = сократит время их нахождения в свободном полете и снизит проблему фокусировки из-за отталкивания (меньше времени прошло = меньше луч успевает «расплыться» прежде чем достигнет цели при прочих равных). при совсем больших энергиях вероятно начнет мешать образующееся при столкновении электронов с материалом рентгеновское (тормозное) излучение…"

"возможно, что для «засветки» нужно именно конкретное количество электронов достаточной энергии, чтобы нужный процент молекул резиста прореагировал."

один луч может экспонировать в лучшем случае 1 см2/ч. Это приемлемо для единичных заказов от лабораторий, однако неприменимо в промышленности.

Отредактировано Лис (2019-05-17 07:13:35)

0